Performance enhancement of GaN-based microwave power amplifiers: material, device and design issues (NAF.5040)

Project nummer: naf5040

Omschrijving van het onderzoek

This project aims at the investigation of material, processing, design and device issues relevant for High Electron Mobility Transistors (HEMT) devices based on thin films of Group III-nitrides. The project will optimise and study the material properties of this material for electronic applications and will use the obtained knowledge to solve design issues. The targeted HEMTs can be employed in X-band multi-purpose radar’s for military applications and in the field of telecommunication (base stations for mobile phones) Apart from this, GaN is especially suited for high power-, high temperature-, high voltage- and high frequency electronics. The utilisation of this project is guaranteed by the interest and contributions of TNO FEL, Hollandse Signaalapparaten, Philips Research, and Philips Discrete Semiconductors Nijmegen.

Gebruikers

Er zijn vier bedrijven bij dit project betrokken.

Projectleider

Prof.dr. P.K. Larsen

Radboud Universiteit Nijmegen
Natuurwetenschappen, Wiskunde en Informatica
Experimentele Vaste-stof Fysica

Postbus 9010
6500 GL Nijmegen

Status van het project

Gestart	: 01-08-2000
Einddatum	: 01-05-2006

Trefwoorden

Dry etching, ECR-RIE, FET, Halfgeleiders, III-nitrides, Ion Beam Etching, MOCVD, Nanotechnologie, RIE, VPE

Print | Over deze site |

Sitemap | Voorbehoud | Gewijzigd 7-3-2006

Nieuws uitgelicht

Nieuwsbrief Technologiestichting STW, januari 2012

31 januari 2012

Elke maand stuurt Technologiestichting STW haar relaties een link naar de web-based nieuwsbrief. Hierin staat een maandelijks overzicht van het jongste nieuws van de bestuurstafel, onderzoeksnieuws, o... [meer]